四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四 氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常环境下是 相对惰性的，在不通风的地方会引起窒息。在射频等离子体环境中，氟自由基表 现为典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高纯度的四氟化碳能很好的控制加工过 程，使尺寸和形状得到更好的控制，这不同于其他的卤烃遇到空气或氧气时不利于各种特殊的控制（如半导体各项异性控制）。